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半導体露光装置
FPA-5510iV
TSV/Bump形成などの後工程向けi線ステッパー

  • 概要
  • 仕様

基本情報

装置名:FPA-5510iV

特長

厚膜レジストプロセスに適した新光学系

半導体デバイスの高性能化(高集積化)を実現する技術として、シリコン貫通電極(TSV)を用いた3次元実装が注目されています。新設計の露光光学系によりTSVおよびBUMP形成工程で使用される厚膜レジストでの良好なレジストプロファイルを実現いたしました。また、NA可変露光光学系を搭載することで、焦点深度/レジストプロファイル/解像力の制御が可能です。解像力は、今後高密度化される次世代パッケージに対応出来る1μm以下を実現しました。

高い生産性の実現

TSV/BUMP形成の厚膜レジスト工程では、一回あたりの露光時間が長くなる傾向があります。そこで、以下の4つの手段を用いて高い生産性を実現します。

  1. 半導体製造前工程のスキャナーフィールドを2shot一括で露光できる、フィールドサイズ(52×34mm)を実現しました。
  2. 4.5kW高出力ランプを採用しました。
  3. i線露光モードに加え、i線+h線の2波長を使用したBroadband露光モードを搭載しました。
  4. FPA-5500プラットフォームで実績のあるウエハーステージを搭載しました。

実績のあるFPA-5500プラットフォームによる信頼性と高いオーバーレイ精度

FPA-5500プラットフォームは当社の半導体製造前工程向けi線ステッパーに採用されており、高い稼働率と信頼性を誇ります。FPA-5510iVは、そのプラットフォームを受け継ぎ、FPA-5510iZ、FPA-5550iZと同等な稼働率と信頼性を実現します。さらに、Worldwideサービスサポート網により、生産性の向上と信頼性の維持をサポートします。また、FPA-5500プラットフォームをベースとしたアライメントシステムにより、半導体後工程向け露光装置として最高の重ね合わせ精度300nm以下を実現しました。

次世代パッケージ製造に向けた豊富なオプション

FPA-5510iVは、半導体製造後工程において必要とされる、様々なオプションを準備いたしました。ウエハー裏面パターンに対するアライメントを可能とするシリコン透過アライメント(TSA-Scope)、ウエハー周辺露光/周辺遮光対応機能、反りウエハー対応ウエハーチャック及びウエハー搬送系、といったオプションは、お客様の工数削減、生産性向上といった面で大きな貢献をいたします。

基本仕様

解像力
≦1μm
NA(開口数)
0.18~0.10(自動可変)
縮小比
1:2
画面サイズ
52mm × 34mm
焼付け波長
i-Line 365nm (h-Line 405nm を併用可)
レチクルサイズ
6inch
ウエハーサイズ
200mm(8inch)/300mm(12inch)(選択)
重ね合せ精度
≦300nm
装置サイズ(本体)
(W)2,300×(D)3,340×(H)2,700mm
主要オプション
反りウエハー対応搬送系
貼り合せウエハー対応搬送系
シリコン透過アライメントシステム(TSA-Scope)
ウエハー周辺露光ユニット
ウエハー周辺遮光ユニット
ケミカルフィルター
レジストアウトガス対策ユニット
PCリモートコンソール
オンライン(GEM2,GEM0304)対応
ペリクル検査装置