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半導体露光装置
FPA-5520iV
FOWLPへの対応力と生産性を高めたi線ステッパー

  • 概要
  • 仕様

基本情報

装置名:FPA-5520iV

特長

次世代パッケージ技術の量産課題を解決

モバイル市場における小型化・省電力化の流れに伴い、半導体チップの高集積化・薄型化への要求が一段と高まっています。この要求を満たす後工程向けの次世代パッケージ技術として、FOWLP技術が注目されています。同技術は、プロセッサーやメモリーなどさまざまな機能を持つ異種半導体チップを同一パッケージ内で接合したSystem in Package(SiP) を薄く製造できる技術で、半導体デバイスの高集積化・薄型化を低コストで実現する技術として期待を集めています。

FOWLPはシリコンウエハーから切り出した半導体チップを再度配列させ樹脂でウエハー形状に固めた再構成基板に対して、配線をパターニングします。量産時には、変形度合いの大きい基板の搬送、パターニングするための基板ステージ上での基板平坦度の確保、チップ配列ばらつきへの対応、が量産上の課題となっています。 FOWLPの量産課題を解決する、以下の改善を行いました。

  1. 基板の反り形状にあわせて吸着面が変形する“フレキシブルパッド”を採用した基板搬送システムを新規開発し、大きく反った基板でも確実な搬送を可能としました。
  2. 基板ステージには、基板全面の吸着力を大幅に向上させた、キヤノン独自の吸着システムを新規開発しました。基板平坦度を確保することで、高い光学性能を生かした微細パターニングを実現しました。
  3. 従来機種比較で約2倍となる広視野アライメントスコープを搭載し、チップ配列ばらつきが大きい再構成基板でもパターニングの基準となるマークを検出可能となりました。これにより装置稼働率を向上させ、高い生産性を実現しました。

先端後工程用i線ステッパーとして最高水準の生産性を実現

照度を約30%向上させた新開発の高照度照明光学系を採用することで、後工程ユーザーが使用する厚膜フォトレジストプロセスでの露光時間を短縮し、ウエハー処理能力を約20%向上しました。(比較対象は従来機種FPA-5510iV)

従来機種「FPA-5510iV」のパターニング性能を継承

「FPA-5510iV」で実績のある、高い解像性能を誇る投影光学系と高精度な重ね合わせが可能なアライメントシステムを継承しました。また、「FPA-5510iV」と互換性のあるオペレーションと、容易なレシピコンバートを実現したソフトウエアを採用しており、従来機種からスムーズに移行可能です。

基本仕様

解像力
≦1μm
縮小比
1:2
画面サイズ
52mm × 34mm
焼付け波長
i-Line 365nm
レチクルサイズ
6inch
ウエハーサイズ
300mm(12inch)
重ね合せ精度
≦150nm
装置サイズ(本体)
(W)2,300×(D)3,340×(H)2,700mm
主要オプション
シリコン透過アライメントシステム(TSA-Scope)
ウエハー周辺露光ユニット
ウエハー周辺遮光ユニット
ケミカルフィルター
レジストアウトガス対策ユニット
PCリモートコンソール
オンライン
ペリクル検査装置
EFEM
光学系パージユニット