半導体露光装置
FPA-5550iX
i線ステッパー 前工程向け 広画角・高解像力 i線ステッパー
- 概要
- 仕様
基本情報
装置名:FPA-5550iX
特長
1. 高解像力と広画角を両立かつ製造方法の刷新によるレンズの安定供給を実現
従来機種「FPA-5510iX」(2015年9月発売)で採用されている投影レンズを継承したことで、0.5μm高解像力を実現します。また、50×50mmの広画角での露光が可能なことにより、フルサイズCMOSセンサーや次世代XR用ディスプレイで求められる広画角を一括で高精細に露光することができます。さらに、装置に多数搭載されている投影レンズを、高品質で安定的に供給できる製造方法に刷新することで、旺盛な半導体製造装置需要に応えます。
2. さまざまなアライメントマーク※1が読み取れるアライメントスコープの採用によりプロセス対応力を強化
アライメントスコープに、直射光を測定する「明視野検出」機能に加えて、散乱光や回折光を測定する「暗視野検出」機能を新たに追加し、ユーザーのニーズに合わせて測定方法を選べます。また、選択できる波長領域を拡大したことや、エリアセンサーを採用し多画素で測定できることで、低ノイズを実現し、低コントラストのアライメントマークでも測定可能です。さらにオプションで、シリコンを透過できる赤外線波長を選択でき、裏面照射型センサーの製造に求められるウエハー裏面のアライメント測定にも対応するなど、さまざまなアライメントマークの測定が可能となり、ユーザーの多種多様なプロセスへの対応力を強化します。
- ※1 半導体は回路パターンを何層も重ねて製造するため、位置合わせを行うためにウエハーに付けている印
3. Lithography Plusと連携することで高稼働率を実現
ソリューションプラットフォーム「Lithography Plus」(2022年9月発売)と連携することで、露光装置の状態を監視、分析し、露光装置の適切な品質管理や高稼働率を実現します。
基本仕様
解像力 | ≦500nm |
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NA(開口数) | 0.28〜0.37(自動可変) |
縮小比 | 1:2 |
画面サイズ | 50mm x 50mm(Φ70.7mm以内) |
焼付け波長 | i-Line 365nm |
レチクルサイズ | 6inch |
ウエハーサイズ | 300mm(12inch) |
重ね合わせ精度 | ≦50nm |
装置サイズ(本体) | (W)2,300×(D)3,660×(H)3,000mm |
主要オプション | ケミカルフィルター レジストアウトガス対策ユニット PCリモートコンソール GEM対応オンラインソフト ペリクル検査装置 非線形アライメント補正機能 シリコン透過アライメントシステム(TSA-Scope) |