FPA-1200NZ2C

基本情報

装置名：FPA-1200NZ2C

特長

従来の投影露光装置は、ウエハー上に塗布されたレジスト（樹脂）に光を照射し回路を焼き付けるのに対し、新製品はウエハー上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスク（型）をハンコのように押し付けて回路パターンを形成します。光学系という介在物がないため、マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できます。そのため、複雑な2次元、3次元の回路パターンを1回のインプリント^※1で形成することも可能で、CoO^※2の削減に貢献します。キヤノンのNIL技術は、既存の最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノード^※3にあたる最小線幅14nm^※4のパターン形成ができます。さらに、マスクを改良することにより、2ナノノードにあたる最小線幅10nmレベルへの対応も期待されています。

1. NIL技術による最先端半導体デバイス製造を実現

装置内の微粒子の発生や混入を抑制する新開発の環境制御技術を採用しています。これにより、多層化する半導体製造に必要な高精度の位置合わせや微粒子などによる欠陥の低減を実現し、微細かつ複雑な回路形成が可能となり、最先端の半導体デバイス製造に貢献します。

2. シンプルな構造による環境対応

投影露光装置のように光源の波長による微細化を必要としないため、既存の最先端ロジック向け露光技術（5ナノノード／線幅15nm）における消費電力は、投影露光装置と比べ大幅に削減でき、CO₂の低減にも貢献します。

3. 半導体デバイス以外の製造にも対応可能

3次元のパターンを1回で形成できることから、ロジックやメモリーなどの半導体デバイス以外として、数十nmの微細構造であるXR向けのメタレンズ^※5などの製造など、幅広い用途に活用できます。

• ※1. ナノインプリントを用いたパターニング工程のこと。
• ※2. Cost of Ownershipの略。半導体製造に必要な総コストの指標。
• ※3. 半導体製造プロセスの技術世代の呼び名。
• ※4. 1nm（ナノメートル）は、10億分の1メートル。
• ※5. 可視光の波長より小さい微細構造で光を制御してレンズ機能を持たせた素子。

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