FPA-5520iV / HRオプション /
LFオプション / LF2オプション

基本情報

装置名：FPA-5520iV / HRオプション / LFオプション / LF2オプション

特長

次世代パッケージ技術の量産課題を解決

モバイル市場における小型化・省電力化の流れに伴い、半導体チップの高集積化・薄型化への要求が一段と高まっています。この要求を満たす後工程向けの次世代パッケージ技術として、FOWLP技術が注目されています。同技術は、プロセッサーやメモリーなどさまざまな機能を持つ異種半導体チップを同一パッケージ内で接合したSystem in Package（SiP） を薄く製造できる技術で、半導体デバイスの高集積化・薄型化を低コストで実現する技術として期待を集めています。

FOWLPはシリコンウエハーから切り出した半導体チップを再度配列させ樹脂でウエハー形状に固めた再構成基板に対して、配線をパターニングします。量産時には、変形度合いの大きい基板の搬送、パターニングするための基板ステージ上での基板平坦度の確保、チップ配列ばらつきへの対応、が量産上の課題となっています。 FOWLPの量産課題を解決する、以下の改善を行いました。

• 1. 基板の反り形状にあわせて吸着面が変形する“フレキシブルパッド”を採用した基板搬送システムを新規開発し、大きく反った基板でも確実な搬送を可能としました。
• 2. 基板ステージには、基板全面の吸着力を大幅に向上させた、キヤノン独自の吸着システムを新規開発しました。基板平坦度を確保することで、高い光学性能を生かした微細パターニングを実現しました。
• 3. 従来機種比較で約2倍となる広視野アライメントスコープを搭載し、チップ配列ばらつきが大きい再構成基板でもパターニングの基準となるマークを検出可能となりました。これにより装置稼働率を向上させ、高い生産性を実現しました。

先端後工程用i線ステッパーとして最高水準の生産性を実現

照度を約30％向上させた新開発の高照度照明光学系を採用することで、後工程ユーザーが使用する厚膜フォトレジストプロセスでの露光時間を短縮し、ウエハー処理能力を約20％向上しました。（比較対象は従来機種FPA-5510iV）

従来機種「FPA-5510iV」のパターニング性能を継承

「FPA-5510iV」で実績のある、高い解像性能を誇る投影光学系と高精度な重ね合わせが可能なアライメントシステムを継承しました。また、「FPA-5510iV」と互換性のあるオペレーションと、容易なレシピコンバートを実現したソフトウエアを採用しており、従来機種からスムーズに移行可能です。

「FPA-5520iV HRオプション」で解像力0.8マイクロメートルの先端パッケージングにも対応

FOWLPの市場における配線高密度化のニーズの高まりを受け、2018年12月より「FPA-5520iV HRオプション」の提供を開始しました。「FPA-5520iV HRオプション」では新たな投影光学系を採用することで、パッケージング向け露光装置で業界最高水準^※となる解像力0.8マイクロメートルの微細なパターニングを実現します。

• ※同等クラスのi線ステッパーにおいて。シリコンウエハーと同等の平坦度の場合。2018年12月10日現在。（キヤノン調べ）

「FPA-5520iV LFオプション」で52×68mmの広画角の一括露光を実現

新投影光学系の搭載により、前工程での露光装置の標準画角である26×33mmの4倍以上となる、52×68mmの広い画角を一括で露光することが可能です。これにより、複数の大型半導体チップを接合するヘテロジニアスインテグレーションへの対応が可能となります。

「FPA-5520iV LF2オプション」で繋ぎ露光による100×100mmの超広画角を実現

従来機種「FPA-5520iV LFオプション」（2021年4月発売）と比べ、歪曲収差を4分の1以下にまで改善した新投影光学系の搭載と、照度均一性を高めた照明光学系の採用により、52×68mmの広画角でありながら0.8マイクロメートルの解像力と、繋ぎ露光による100×100mmの超広画角を実現します。これにより、2.5次元と3次元技術を組み合わせた超大型・高密度配線パッケージの量産を実現します。

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